[FETV=허지현 기자] SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주/용인/미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 전했다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조·기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

간담회는 곽 사장의 오프닝 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션과 기자들과의 Q&A로 진행됐다.

곽 사장은 오프닝 간담회를 통해 "AI 시대를 맞아 SK하이닉스의 원대한 꿈과 경쟁력, 그리고 비전 달성을 위한 전략을 말씀 드리겠다"고 선포했다. 그는 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On Device AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "AI에 특화된 ‘초고속·고용량·저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보할 예정이다. 또한 앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것을 약속했다.

곽 사장은 "현재 SK하이닉스 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃이고, 내년 역시 거의 솔드아웃 됐다"며 "HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중에 있다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 내실 있는 ‘질적 성장’을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 ‘수익성’을 지속적으로 높여 나갈 전망이다. 또한 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 Cash 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획이다.

마지막으로 곽 사장은 "AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업’으로 성장할 것"이라며 "국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠다"고 강조했다.

김 사장은

SK하이닉스는 AI 시대에 들어서, 전세계에서 생산되는 데이터 총량이 2014년 15ZB에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것으로 전망했다. 이에 AI 시대 반도체 산업은 구조부터 바뀌는 패러다임 전환을 맞이하게 돼 업에 대한 새로운 접근이 필요하다는 의견이다.

SK하이닉스는 다양한 AI 응용처에서 기술 리더십을 확보할 예정이다. D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다. 낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다.

AI 메모리의 매출 비중도 급격히 늘어날 것임. 2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이 2028년엔 61%에 달할 것으로 전망하고 있다. SK하이닉스는 이에 그치지 않고 회사는 기존 제품을 더욱 개선, 발전시킨 차세대 제품도 개발할 계획이다.

김 사장은 "HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"며 "글로벌 탑티어 시스템반도체, 파운드리 등 파트너들과 원팀 협업해 최고의 제품을 적시 개발·공급하겠다"고 말했다.

최 부사장은 SK하이닉스의 '패키징 기술력'에 대해 설명했다. 패키지 기술력은 SK하이닉스가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나로 MR-MUF 기술이다. MR-MUF 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않다. 현재 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다.

SK하이닉스가 최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다. 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중이다.

이어 SK하이닉스는 미국 투자에도 힘쓰고 있다. 지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다. 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다.

최 부사장은 "SK하이닉스는 이 지역에서 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고, AI 미래 산업에도 기여할 것"이라고 전했다.

SK하이닉스는 급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 했다. 이에 지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수, 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 것으로 보인다.

용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 회사 팹 56만 평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성됐다. SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 전망이다.

용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정이다. 아울러 클러스터에는 미니팹도 건설할 계획이다. 그간 테스트를 할 수 있는 기회가 부족해 신기술 개발과 경쟁력 확보에 어려움이 많았다. 하지만 미니팹에서 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 제공받게 된다.

SK하이닉스는 '약 9,000억 원이 투자되는 미니팹 프로젝트에 클린룸과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원하기로 했다"며 "용인 클러스터를 통해 국내 반도체 생태계를 강화하고 우리나라 반도체 주도권을 더욱 공고히 하겠다"고 전했다.